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厂商型号

NGB8204ANT4G 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

内部编号

277-NGB8204ANT4G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

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NGB8204ANT4G产品详细规格

规格书 NGB8204ANT4G datasheet 规格书
NGB8204N
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 800
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 430V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 4.5V, 10A
- 集电极电流(Ic)(最大) 18A
功率 - 最大 115W
Input 型 Logic
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装材料 Tape & Reel (TR)
供应商封装形式 D2PAK
最大栅极发射极电压 18
最大连续集电极电流 18
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 D2PAK
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极电压 430
最大功率耗散 115000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 18A
安装类型 Surface Mount
标准包装 800
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2V @ 4.5V, 10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 430V
供应商设备封装 D2PAK
功率 - 最大 115W
输入类型 Logic
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名称 NGB8204ANT4GOSTR
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 50A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
连续集电极电流在25 C 18 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 430 V
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 115 W
最大栅极发射极电压 18 V
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 175 C
RoHS RoHS Compliant

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